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半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
采用轉(zhuǎn)子式高輸出X射線發(fā)生器和新設(shè)計的入射X射線單色儀。
使用直接TXRF測量方法實現(xiàn)了10 8 原子/cm 2的過渡金屬LLD水平。 它可實現(xiàn)相同的精度和高通量,測量時間僅為封閉式 X 射線管的 1/3。
半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
半導(dǎo)體設(shè)備理學(xué)Rigaku反射熒光X射線分析儀
TXRF-V310概述
配備內(nèi)置集成全自動VPD功能
可進(jìn)行從 Na 到 U 的超痕量分析。 VPD-TXRF 的檢測限 (LLD) 對于 Al 達(dá)到 108 水平,對于過渡金屬達(dá)到 106 水平。從 VPD 預(yù)處理到 TXRF 測量全自動。 它還具有斜角收集VPD功能。
采用1靶3光束方式
Rigaku的方法使用三種類型的光譜晶體來提取適合待測量元素的單色X射線束,并用它來激發(fā)污染物元素。 用于測量輕元素的W-Mα射線不會激發(fā)Si,因此可以分析Na、Mg和Al。從Na到U連續(xù)進(jìn)行高精度自動分析。
通過消除衍射輻射,最大限度地減少散射輻射的影響
采用抑制高次反射的光學(xué)系統(tǒng)和 XY-θ 驅(qū)動臺,X 射線入射方向自動選擇功能消除了來自基板的衍射線,并可在散射線干擾最小的情況下實現(xiàn)高信噪比測量。 可以對整個晶圓表面進(jìn)行精確且高精度的微量分析。
可將坐標(biāo)與異物檢查坐標(biāo)數(shù)據(jù)關(guān)聯(lián)
通過將異物檢查裝置的坐標(biāo)數(shù)據(jù)導(dǎo)入TXRF裝置,可以分析存在顆粒的位置的污染元素。 滴水軌跡搜索功能采用算法,需要快速、準(zhǔn)確的坐標(biāo)。
高速晶圓內(nèi)污染篩查“Sweeping-TXRF功能"
可以使用Sweeping-TXRF方法,該方法使用直接TXRF方法在晶圓表面上進(jìn)行高速測量,以揭示污染物元素的分布。 可以在短時間內(nèi)對整個晶圓表面進(jìn)行污染分析,而這種分析無法通過表面內(nèi)的 5 或 9 個點等代表性坐標(biāo)測量來捕獲。僅需50分鐘即可完成300mm晶圓整個表面5×10 10 個原子/cm 2污染的檢測。除了污染元素的分布外,還可以通過對整個表面的測量值進(jìn)行積分來計算晶片表面內(nèi)的平均污染濃度。
邊緣排除 0mm 無損、非接觸式污染測量“ZEE-TXRF 功能"
我們實現(xiàn)了晶圓邊緣附近的高靈敏度測量,這是以前使用 TXRF 方法無法測量的。 現(xiàn)在可以使用 TXRF 對污染集中的邊緣區(qū)域進(jìn)行污染分析。
晶圓背面全自動測量“BAC-TXRF功能"
EFEM內(nèi)部安裝了晶圓翻轉(zhuǎn)機(jī)器人,實現(xiàn)了300mm晶圓背面污染物的全自動無人測量。 與 ZEE-TXRF 功能結(jié)合使用時,可以對晶圓各部分進(jìn)行全面的污染分析和評估。
SDSA點滴搜索功能
它配備了SDSA功能(Square Drop Search Algorism),可以快速準(zhǔn)確地搜索VPD收集后受污染的干燥痕跡的位置坐標(biāo)。
兼容 300mm 晶圓廠
Fab配備標(biāo)準(zhǔn)FOUP/SMIF接口,兼容300mm/200mm晶圓。 它還支持各種AMHS,并通過支持主機(jī)和SECS/GEM協(xié)議來支持CIM/FA。
TXRF-V310特點
TXRF-V310規(guī)格
產(chǎn)品名稱 | TXRF-V310 | |
---|---|---|
方法 | 全內(nèi)反射熒光X射線(TXRF)/氣相分解(VPD) | |
目的 | 微量元素表面污染的測量 | |
技術(shù) | 自動 VPD 準(zhǔn)備、3 光束激發(fā)和自動光學(xué)對準(zhǔn) | |
主要部件 | 自動VPD、旋轉(zhuǎn)陽極陰極X射線源、XYθ樣品臺、無液氮檢測器 | |
選項 | 用于全工廠自動化的 GEM-300 自動化軟件 | |
外部(電腦) | 內(nèi)部 PC、MS Windows® 操作系統(tǒng) | |
機(jī)身尺寸 | 1200(寬)×2050(高)×2990(深)毫米 | |
重量 | 1650公斤(身體) | |
電源 | 三相 200 VAC 50/60 Hz,125 A |