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日本ULVAC愛發(fā)科半導體化學氣相沉積設備
日本ULVAC愛發(fā)科半導體化學氣相沉積設備
負載鎖定等離子體CVD設備CC-200
負載鎖定等離子體CVD裝置CC-200體積小且易于使用,適用于從研發(fā)到生產(chǎn)的一切。
特征
27.12MHz高密度等離子工藝
SiH 4型:SiO 2、SiNx、SiON、a-Si、TEOS 型:可提供 SiO 2薄膜
可使用CF 4 +O 2等離子體清潔腔室
與有機EL低溫成膜用加熱器兼容
通過托盤傳輸支持各種尺寸的電路板
真空箱允許在 C 系列單元之間進行間接連續(xù)處理(濺射:CS-200,蒸發(fā):CV-200)。
目的
功率器件
LED、LD、高速器件等相關(guān)化合物
有機EL開發(fā)
太陽能電池開發(fā)
微機電系統(tǒng)
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