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簡(jiǎn)要描述：剝離成形電子束設(shè)備：對(duì)于有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來(lái)完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí)，就可以采用 Lift-Off制程來(lái)做出想要的金屬圖案。在此過(guò)程中，電子束蒸發(fā)于在基板表面上沉積所需的薄膜層于犧牲層于基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。

剝離成形電子束設(shè)備介紹：

對(duì)於有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來(lái)完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí)，就可以採(cǎi)用 Lift-Off製程來(lái)做出想要的金屬圖案。在此過(guò)程中，電子束蒸發(fā)於在基板表面上沉積所需的薄膜層於犧牲層與基材上，最終在洗去其犧牲層，以得到其電路圖案。由於SYSKEY的系統(tǒng)可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度，因此薄膜厚度和均勻度皆小於+/- 3％。

? 針對(duì)Lift-Off製程設(shè)計(jì)載臺(tái)水冷或液態(tài)氮冷卻。

1.準(zhǔn)備基板。
2.犧牲薄膜層的沉積。
3.對(duì)犧牲層進(jìn)行圖案化（例如蝕刻），以形成反向圖案。
4.沉積目標(biāo)材料。
5.洗去犧牲層以及目標(biāo)材料的表面。
6.最終圖案層：
①基材
②犧牲層
③目標(biāo)材料

剝離成形電子束設(shè)備參數(shù)：

應(yīng)用領(lǐng)域	腔體
Lift-Off製程。	客製化的腔體尺寸取決於基板尺寸和其應(yīng)用。腔體可至650 mm。腔體的極限真空度約為10-8 Torr。
配置和優(yōu)點(diǎn)	選件
客製化的基板尺寸，直徑可達(dá) 12寸晶圓。優(yōu)異的薄膜均勻度小於±3％。水冷坩堝的多組坩鍋旋轉(zhuǎn)電子束源（1/2/4/6坩堝）。自動(dòng)鍍膜系統(tǒng)。具有順序操作或共沉積的多個(gè)電子束源。基板具有冷卻（液態(tài)氮溫度低至-70°C）功能。	可以與傳送腔、機(jī)械手臂和手套箱整合在一起。

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