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日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器 HL63703HD 防反射（AR）涂層 LD 產(chǎn)品采用 Ushio 設(shè)計和優(yōu)良的薄膜沉積技術(shù)，正面設(shè)計反射率為 0.1%。與傳統(tǒng)...

型號： HL63703HD 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:48:07 對比

日本USHIO/牛尾AR 鍍膜半導體激光管690 納米±5 納米HL63703HD
日本USHIO牛尾AR 鍍膜半導體激光管
日本USHIO牛尾AR 鍍膜半導體激光管HL70021DG防反射（AR）涂層 LD 產(chǎn)品采用 Ushio 設(shè)計和優(yōu)良的薄膜沉積技術(shù)，正面設(shè)計反射率為 0.1...

型號： HL70021DG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:41:19 對比

日本700 納米±3 納米USHIO牛尾AR 鍍膜半導體激光管HL70021DG
日本USHIO牛尾AR 鍍膜半導體激光管
日本USHIO牛尾AR 鍍膜半導體激光管HL69001DG防反射（AR）涂層 LD 產(chǎn)品采用 Ushio 設(shè)計和優(yōu)良的薄膜沉積技術(shù)，正面設(shè)計反射率為 0.1...

型號： HL69001DG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:36:59 對比

日本USHIO/牛尾AR 鍍膜半導體激光管690 納米±5 納米HL69001DG
日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器HL67011DGAR 鍍膜半導體激光管防反射（AR）涂層 LD 產(chǎn)品采用 Ushio 設(shè)計和優(yōu)良的薄膜沉積技術(shù)，正面設(shè)計反射率為...

型號： HL67011DG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:32:06 對比

日本激光儀器671 納米±3 納米USHIO/牛尾HL67011DG
日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器HL85022MG產(chǎn)品特點波長：785nm 典型值光輸出 210 mW （CW）低工作電流 Tc=25 °C 時為 230m...

型號： HL78002MG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:26:25 對比

日本波長：785nm 典型值激光儀器USHIO/牛尾HL78002MG
日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器HL85022MG產(chǎn)品特點波長：850nm 典型值光輸出 260 mW （CW）低工作電流 Tc=25 °C 時為 270m...

型號： HL85022MG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:21:29 對比

日本USHIO牛尾激光儀器HL85022MG高溫作Tc= -40 至 +75 °C
日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器HL40213MG產(chǎn)品特點HL40213MG 通過 Ushio 光學約束控制結(jié)構(gòu)，在較寬的工作溫度范圍和電流條件下實現(xiàn)了高光束質(zhì)量和高...

型號： HL40213MG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 17:04:34 對比

日本USHIO/牛尾激光儀器405 納米 175 毫瓦HL40213MG
日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器HL40175MG光學輸出功率：600mW（連續(xù)波）。激光波長：400 - 410nm。橫向模式：多橫模。振蕩模式：TE。封裝：5.6...

型號： HL40175MG 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 16:51:50 對比

日本USHIO激光儀器低工作電流： 450mA 典型值低工作電壓：4.2V 典型值HL40175MG
日本USHIO牛尾激光儀器
日本USHIO牛尾激光儀器HL40123GL與以前的產(chǎn)品相比，HL40123GL顯著提高了WPE*1及其整體預(yù)期壽命。在 405nm 1.2W 級 LD 中具有...

型號： HL40123GL 所在地：長沙市參考價： ￥500更新時間：2025/3/3 16:51:05 對比

日本USHIO牛尾低工作電壓：4.5V Typ激光儀器HL40123GL