國(guó)產(chǎn)透射電鏡 參考價(jià)：面議
國(guó)產(chǎn)透射電鏡是指由中國(guó)自主研發(fā)和生產(chǎn)的透射電子顯微鏡（Transmission Electron Microscope，簡(jiǎn)稱TEM）。透射電鏡是一種高分辨率、高...
多功能原位高溫?zé)崤_(tái) 參考價(jià)：面議
多功能原位高溫?zé)崤_(tái)是一種實(shí)驗(yàn)設(shè)備，主要用于在高溫環(huán)境下進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)。這種熱臺(tái)能夠提供精確的溫度控制，并且具有多種功能，例如可以用來研究物質(zhì)在高溫下的反應(yīng)、變化、...
退火爐 參考價(jià)：面議
退火爐是用于制造半導(dǎo)體元件的制程方法。該制程包括加熱多個(gè)半導(dǎo)體晶片以影響其電性能。熱處理旨在達(dá)到不同的效果?？梢约訜峋约せ顡诫s劑，使沉積的膜至密化，并改變生...
串集多腔鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
串集多腔鍍膜設(shè)備是一組真空腔系統(tǒng)，這些真空腔系統(tǒng)通過位于系統(tǒng)中心的傳輸腔相互連接。從基材的清潔、鍍膜與封裝的所有過程都在不破壞真空的環(huán)境下連續(xù)進(jìn)行。
原子層蝕刻設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層蝕刻設(shè)備是一種先進(jìn)的蝕刻技術(shù)，可精準(zhǔn)的控制其蝕刻深度。隨著元件尺寸的進(jìn)一步減小，需要進(jìn)一步的使用ALE才能達(dá)到其所需的精度。
感應(yīng)耦合電漿蝕刻 參考價(jià)：面議
感應(yīng)耦合電漿蝕刻是在標(biāo)準(zhǔn)反應(yīng)離子蝕刻（RIE）的基礎(chǔ)上，添加電感耦合電漿的。感應(yīng)耦合電漿由磁場(chǎng)圍繞石英晶體管所提供。產(chǎn)生的高密度電漿被線圈包圍，將充當(dāng)變壓器中的...
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備 參考價(jià)：面議
反應(yīng)離子蝕刻設(shè)備中可以非常精確地控制其蝕刻輪廓、蝕刻速率和均勻性，并具有重復(fù)性。等向性蝕刻以及非等向性蝕刻都是可能的。
等離子干蝕刻 參考價(jià)：面議
等離子干蝕刻是從另一種材料的表面去除材料的過程。該過程是由於于激發(fā)離子與材料的碰撞而發(fā)生的，無需使用任何液體化學(xué)藥品或蝕刻劑即可將其除去。
電漿原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
電漿原子層沉積設(shè)備是一種基于常規(guī)ALD的先進(jìn)方法，其利用電漿作為裂化前驅(qū)物材料的條件，而不是僅依靠來自加熱基板的熱能。
原子層沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
原子層沉積設(shè)備為一種氣相化學(xué)沉積技術(shù)。大多數(shù)的ALD反應(yīng)，將使用兩種化學(xué)物質(zhì)稱為前驅(qū)物。這些前驅(qū)物以連續(xù)且自限的方式與材料表面進(jìn)行反應(yīng)。
原子層沉積系統(tǒng) 參考價(jià)：面議
原子層沉積系統(tǒng)是基于順序使用氣相化學(xué)過程的最重要技術(shù)之一；它可以被視為一種特殊類型的化學(xué)氣相沉積（CVD）。多數(shù)ALD反應(yīng)使用兩種或更多種化學(xué)物質(zhì)（稱為前驅(qū)物，...
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
批量式電漿輔助氣相沉積設(shè)備為一種使用化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，可在較低的溫度下沉積各種薄膜且不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。
類鉆碳鍍膜設(shè)備 參考價(jià)：面議
類鉆碳鍍膜設(shè)備是一種無定形納米復(fù)合碳材料，具有與天然金剛石相似的特性，包括?低摩擦、高硬度和高耐腐蝕性。正確的涂層可以減少滑動(dòng)磨損，而類鉆碳 (DLC)鍍膜機(jī)可...
FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
FPD-PECVD 電漿輔助化學(xué)氣相沉積：隨著LCD面板和制造所需玻璃的尺寸的增加，其制造設(shè)備也變得更大，需要越來越大的設(shè)備投資。SYSKEY針對(duì)中小尺寸的需求...
感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
感應(yīng)耦合電漿化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用ICP的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與PECVD方法相比，ICP-CVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜而不...
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
低真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種化學(xué)氣相沉積技術(shù)，利用熱能在基板表面上引發(fā)前驅(qū)氣體的反應(yīng)。表面的反應(yīng)是形成固化材料的原因。
電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備 參考價(jià)：面議
電漿輔助式化學(xué)氣相沉積設(shè)備是一種使用電漿的化學(xué)氣相沉積(CVD)技術(shù)，可為沉積反應(yīng)提供一些能量。與傳統(tǒng)的CVD方法相比，PECVD可以在較低的溫度下沉積各種薄膜...
化學(xué)氣相沉積 參考價(jià)：面議
化學(xué)氣相沉積為一種薄膜沉積方法，其中將基材暴露于一種或多種揮發(fā)性氣體中，在基板表面上反應(yīng)或分解以生成所需的薄膜沉積物。這種方法通常用于在真空環(huán)境中制造高質(zhì)量與高...
剝離成形電子束設(shè)備 參考價(jià)：面議
剝離成形電子束設(shè)備：對(duì)于有些金屬，我們很難使用蝕刻(Etching)方式來完成想要的電路圖案(Circuit Pattern)時(shí)，就可以采用 Lift-Off制...
超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
超高真空電子束蒸鍍?cè)O(shè)備的特征為其真空壓力低于10-8至10-12 Torr，在化學(xué)物理和工程領(lǐng)域十分常見。超高真空環(huán)境對(duì)于科學(xué)研究非常重要，因?yàn)閷?shí)驗(yàn)通常要求，在...
電子束蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
電子束蒸鍍?cè)O(shè)備是一種實(shí)用且高度可靠的系統(tǒng)。我們的系統(tǒng)可針對(duì)量產(chǎn)使用單一坩堝也可以有多個(gè)坩堝來達(dá)到產(chǎn)品多層膜結(jié)構(gòu)。在基板乘載上我們對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體研究和大型設(shè)備設(shè)計(jì)。單...
電子束蒸鍍 參考價(jià)：面議
電子束蒸鍍?yōu)橐环N物理氣相沉積（PVD）技術(shù)，其中電子束是由鎢絲所產(chǎn)生的，並受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)而朝向蒸發(fā)材料，並將其材料由固態(tài)轉(zhuǎn)化為氣態(tài)以沉積在基板表面上。且該...
有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
有機(jī)材料熱蒸鍍?cè)O(shè)備：該過程需要通過精確控制溫度和沉積速率來實(shí)現(xiàn)薄膜的高精度和均勻性。
金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 參考價(jià)：面議
金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備：熱蒸發(fā)是物理氣相沉積（PVD）中常用方法，也是PVD簡(jiǎn)單的形式之一。使用電加熱的蒸發(fā)源可用於沉積大多數(shù)的有機(jī)和無機(jī)薄膜，其中以電阻式加熱法最為常...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
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