RIE刻蝕機(jī)概述：

RIE系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持大到12"的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過600W,13.56MHz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實時顯示,流量及功率則以數(shù)字形式實時顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級訪問功能:操作員級、工程師級、工藝人員級,以及維護(hù)人員級.允許半自動模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式), 和全自動執(zhí)行程序模式(操作模式)運行系統(tǒng)?；谌詣拥目刂疲撓到y(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

RIE刻蝕機(jī)產(chǎn)品特點：

• 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體

• 不銹鋼立柜

• 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

• 典型的硅刻蝕速率，400 ?/min

• 高達(dá)12"的陽極氧化鋁RF樣品臺

• 水冷及加熱的RF樣品臺

• 大自偏壓

• 淋浴頭氣流分布

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級別

• 渦輪分子泵

• 至多支持8個MFC

• 無繞曲氣體管路

• 自動下游壓力控制

• 雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）

• 終點監(jiān)測

• 氣動升降頂蓋

• 手動上下載片

• 基于LabView軟件的PC計算機(jī)全自動控制

• 菜單驅(qū)動，4級密碼訪問保護(hù)

• *的安全聯(lián)鎖

• 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺，用于深硅刻蝕

型號：

• NRR-4000獨立式雙RIE或ICP刻蝕系統(tǒng)

• NRE-4000獨立式RIE或ICP系統(tǒng)

• NRE-3500緊湊型獨立式RIE系統(tǒng)

• NRE-3000臺式RIE系統(tǒng)

• NDR-4000shen'gui'ke深硅刻蝕系統(tǒng)