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MS-200便攜式飛行時間質(zhì)譜儀TOF-MS是一款支持電池供電，用于氣體分析的電子電離質(zhì)譜儀—wan全裝在手提箱里。

LSC4000 半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備：Nano-Master兆聲大基片濕法刻蝕系統(tǒng)提供高可重復(fù)性、高均勻性及高潔凈度的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離。它是集成式的...

SWC4000 掩模版兆聲清洗機：Nano-Master兆聲單晶圓及掩模版清洗機提供高可重復(fù)性、高均勻性及高潔凈度的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕...

NIE-4000 IBE離子束刻蝕機：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。樣品表...

SurfaceSeer I是一款高靈敏度、高質(zhì)量范圍、高分辨率的SIMS二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS），可以用于絕緣、導(dǎo)電表面的成像分析與化學(xué)成分分析。Su...

高分辨二次離子質(zhì)譜儀tof-sims是非常靈敏的表面分析手段，憑借質(zhì)譜分析、二維成像分析、深度元素分析等功能，廣泛應(yīng)用于醫(yī)學(xué)、細胞學(xué)、地質(zhì)礦物學(xué)、半導(dǎo)體、微電子...

Kore SurfaceSeer I是一款高靈敏度的TOF-SIMS飛行時間二次離子質(zhì)譜儀，用于絕緣、導(dǎo)電表面的成像分析與化學(xué)成分分析。SurfaceSeer ...

Kore SurfaceSeer S在飛行時間二次離子質(zhì)譜儀（TOF-SIMS）系列中，是一款高性價比且經(jīng)久耐用的產(chǎn)品。它是研究樣品表面化學(xué)成分的理想選擇，適用...

KORE PTR 3C是KORE最新研發(fā)的一款質(zhì)子轉(zhuǎn)移反應(yīng)飛行時間質(zhì)譜儀（PTR-TOF-MS），緊湊型Kore PTR 3c是一種“軟"化學(xué)電離工具，用于對環(huán)...

Kore高質(zhì)量分辨率飛行時間質(zhì)譜儀EI-TOF-MS提供實時、高時間分辨率、高靈敏度的所有氣體種類并行檢測。所有的質(zhì)量都被收集起來，并限度地保留所有的信息。雙進...

光學(xué)鍍膜設(shè)備：NANO-MASTER NOC-4000光學(xué)涂覆系統(tǒng)提供*進的技術(shù)，在一個腔體中實現(xiàn)原子級清洗和光學(xué)樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣...

微波等離子化學(xué)氣相沉積系統(tǒng): NM的微波PECVD能夠沉積高質(zhì)量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，...

緊湊型電子電離飛行時間質(zhì)譜儀是一款模塊化、計算機控制的飛行時間質(zhì)量分析儀，可作為臺式版本提供。該儀器可以很容易地從一個位置運輸?shù)搅硪粋€位置，例如在汽車或貨車中。...

NLD-3500（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的...

兆聲清洗機：Nano-Master兆聲單晶圓及掩模版清洗機提供高可重復(fù)性、高均勻性及的兆聲清洗、兆聲輔助下光刻膠剝離，以及濕法刻蝕。該系統(tǒng)配套機械手，也可以升級...

NLD-4000（M）原子層沉積系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的...

NIE-4000IBE離子束刻蝕系統(tǒng)：如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統(tǒng)中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情...

NSC-3500（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：立式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達6“旋轉(zhuǎn)平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵...

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)：帶有水冷或者加熱（可加熱到700度）功能，可達到到8“旋轉(zhuǎn)平臺，支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配套渦輪分子泵，極限真空可達1...

NLD-4000（ICPA）全自動PEALD系統(tǒng)：ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠超過其它沉積技術(shù)。由于...