Bruker 全自動(dòng)原子力顯微鏡 InSight AFP

——第五代AFP具有業(yè)界高的分辨率、快的成型速度和快速的3D模具映射

InSight AFP是世上性能*高、行業(yè)首-選的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)CMP輪廓和蝕刻深度計(jì)量系統(tǒng)。將其現(xiàn)代尖-端掃描儀與固有的穩(wěn)定電容式壓力計(jì)和精確的空氣軸承定位系統(tǒng)相結(jié)合，可以在模具的活動(dòng)區(qū)域進(jìn)行非破壞性的直接測(cè)量。

·0.3納米長(zhǎng)期穩(wěn)定
提供NIST可追蹤的參考計(jì)量，并在一年內(nèi)保持測(cè)量的穩(wěn)定性

·260-340個(gè)站點(diǎn)/小時(shí)
內(nèi)聯(lián)應(yīng)用程序的*高生產(chǎn)效率
減少MAM時(shí)間和優(yōu)化的晶圓處理可保持高達(dá)50個(gè)晶圓/小時(shí)的吞吐量

·高達(dá)36000微米/秒
仿形速度
通過熱點(diǎn)識(shí)別提供高分辨率3D特征

·*高分辨率，尖-端壽命長(zhǎng)
InSight AFP的TrueSense®技術(shù)，具有原子力分析器經(jīng)驗(yàn)證的長(zhǎng)掃描能力。亞微米特征的蝕刻深度、凹陷和侵蝕可以  自動(dòng)化地監(jiān)控，具有    的可重復(fù)性，無需依賴測(cè)試鍵或模型。

-----

蝕刻和CMP晶片的全自動(dòng)在線過程控制

Insight AFP結(jié)合了原子力顯微鏡的新創(chuàng)新，包括Bruker的專有CDMode，用于表征側(cè)壁特征和粗糙度。CDmode減少了所需的橫截面數(shù)量，實(shí)現(xiàn)了顯著的成本節(jié)約。此外，AFP數(shù)據(jù)提供了無法通過其他技術(shù)獲得的直接側(cè)壁粗糙度測(cè)量。

自動(dòng)缺陷審查和分類

當(dāng)今集成電路的器件缺陷比以往任何時(shí)候都小，需要快速解決HVM需求。InSight AFP提供了有關(guān)半導(dǎo)體晶片和PHTOmask缺陷的快速、可操作的地形和材料信息，使制造商能夠快速識(shí)別缺陷源并消除其對(duì)生產(chǎn)的影響。

100倍高分辨率配準(zhǔn)光學(xué)元件和AFM全局對(duì)準(zhǔn)可使圖案化晶圓和掩模的原始圖像放置精度低于±250 nm，確保感興趣的缺陷是測(cè)量的缺陷。該系統(tǒng)與KLARITY和大多數(shù)其他YMS系統(tǒng)  兼容。

3D模具映射和HyperMap™

分析速度高達(dá)36000μm/sec，能夠?qū)?3mm x 26mm及更大的閃光場(chǎng)進(jìn)行快速、完整的3D CMP后表征和檢查。超2納米的平面外運(yùn)動(dòng)，實(shí)現(xiàn)真正的大規(guī)模地形和全自動(dòng)拋光后熱點(diǎn)檢測(cè)。

在本例中，在24小時(shí)內(nèi)以1微米x 1微米像素大小獲得了完整的標(biāo)準(zhǔn)26毫米x 33毫米十字線場(chǎng)掃描。然后可以使用Bruker的熱點(diǎn)檢測(cè)和審查功能自動(dòng)檢測(cè)和重新掃描熱點(diǎn)。

售后服務(wù)

Bruker 全自動(dòng)原子力顯微鏡 InSight  CAP

——緊湊型高性能剖面儀和AFM

Bruker的InSight CAP自動(dòng)原子力輪廓儀是專門為半導(dǎo)體制造商和供應(yīng)商設(shè)計(jì)的CMP和蝕刻計(jì)量組合平臺(tái)。靈活的配置支持從100毫米到300毫米的晶圓尺寸，可實(shí)現(xiàn)廣泛終端應(yīng)用的精確測(cè)量。從高生產(chǎn)率的實(shí)驗(yàn)室到全自動(dòng)化的工廠，InSight CAP profiler可以優(yōu)化配置，以獲得具成本效益的計(jì)量解決方案。

·< 0.5 nm長(zhǎng)期動(dòng)態(tài)再現(xiàn)性

用于關(guān)鍵工藝決策的直接、穩(wěn)定的在線計(jì)量

·亞納米
CMP自動(dòng)計(jì)量的靈敏度，專用碟形和腐蝕計(jì)量包，用于    的過程控制和開發(fā)

·<20nm
仿形平面度大于26mm
針對(duì)關(guān)鍵EUV光刻技術(shù)開發(fā)和過程控制的高精度CMP后平面度計(jì)量

在線計(jì)量結(jié)果以分鐘為單位，適用于蝕刻和CMP的技術(shù)開發(fā)和過程控制

在高級(jí)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，多模式光刻技術(shù)對(duì)CMP提出了納米級(jí)的過程控制要求，以滿足聚焦深度需求。InSight CAP圍繞新一代AFM掃描儀構(gòu)建，在65μm X/Y掃描范圍內(nèi)提供改進(jìn)的平坦度，小于10納米。該系統(tǒng)的NanoScope®V 64位AFM控制器提供了5倍更快的嚙合性能和5倍更快的調(diào)整速度，以提高生產(chǎn)效率，所有這些都提高了可靠性。其DT自適應(yīng)掃描模式也有助于加快掃描速度和改進(jìn)計(jì)量。InSight CAP高分辨率剖面儀結(jié)合了多項(xiàng)先進(jìn)功能，可在宏觀凹陷和侵蝕中實(shí)現(xiàn)埃級(jí)精度測(cè)量。

靈活的配置支持從100毫米到300毫米的晶圓尺寸，可實(shí)現(xiàn)廣泛終端應(yīng)用的精確測(cè)量。從高生產(chǎn)率的實(shí)驗(yàn)室到全自動(dòng)化的工廠，InSight CAP profiler可以優(yōu)化配置，以獲得具成本效益的計(jì)量解決方案。

售后服