FF150R12RT4英飛凌IGBT模塊原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

IBGT的分類(lèi)

按有無(wú)緩沖區(qū)分類(lèi)

(1)非對(duì)稱(chēng)型ICBT有緩沖區(qū)N+，為穿通型IGBT;由于N+區(qū)存在，所以反向能力弱，但正向壓降低，關(guān)斷時(shí)間短，關(guān)斷時(shí)的尾部電流小。

(2)對(duì)稱(chēng)型IGBT無(wú)緩沖區(qū)N＋，為非穿通型IGBT；具有正、反向能力，其他特性較非對(duì)稱(chēng)型IGBT差。

按溝道類(lèi)型分類(lèi)

IBGT按溝道類(lèi)型分為N溝道IGBT和P溝道IGBT。

只是在漏源電壓Uds 下降后期， PNP 晶體管由放大，區(qū)至飽和，又了一段時(shí)間，td(on) 為開(kāi)通時(shí)間， tri 為電流上升時(shí)間，實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏極電，流開(kāi)通時(shí)間ton 即為td (on) tri 之和，漏源電壓的下降時(shí)間由tfe和tfe組成， IGBT的觸發(fā)和關(guān)斷要求給其柵，極和基極之間加上正向電壓和負(fù)向電壓，柵極電壓可由不同的驅(qū)動(dòng)電路產(chǎn)生，當(dāng)選擇這些驅(qū)動(dòng)電路時(shí)。必須基于以，下的參數(shù)來(lái)進(jìn)行器件關(guān)斷偏置的要求、柵極電荷的要求、耐固性要求和電源的情況，因?yàn)镮GBT柵極- 發(fā)射極阻抗大。

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IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場(chǎng)控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸入阻抗高，電壓控制功耗低，控制電路簡(jiǎn)單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開(kāi)發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高速、低飽和壓降、高可性、低成本技術(shù)，主要采用1ｕm以下制作工藝，研制開(kāi)發(fā)取得一些新進(jìn)展。    

1、低功率IGBT    

 IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。    

2、U-IGBT    

U（溝槽結(jié)構(gòu)）--TGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進(jìn)一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，提高電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸少的產(chǎn)品?，F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。   

 3、NPT-IGBT   

NPT（非傳統(tǒng)型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注入發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高成本的厚層高阻外延，可降低生產(chǎn)成本25%左右，耐壓越高成本差越大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無(wú)鎖定效應(yīng)，在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí)，NPT—IGBT可*性。西門(mén)子公司可提供600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。   

4、SDB--IGBT   

鑒于目前廠家對(duì)IGBT的開(kāi)發(fā)非常重視，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作第四代高速I(mǎi)GBT及模塊系列產(chǎn)品，特點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。    

 5、超快速I(mǎi)GBT   

整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于減少I(mǎi)GBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速I(mǎi)GBT可大限度地減少拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時(shí)間不超過(guò)2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下，拖尾更短，重點(diǎn)產(chǎn)品專(zhuān)為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)，現(xiàn)有6種型號(hào)，另可用在大功率電源變換器中。   

6、IGBT/FRD  

IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO—247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片模塊中實(shí)現(xiàn)更平均的溫度，提高整體可*性。   

7、IGBT功率模塊

IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A/2000V的IPM已用于電力機(jī)車(chē)VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，提高系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。

FF150R12RT4英飛凌IGBT模塊原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

F3L100R07W2E3_B11

F3L150R07W2E3_B11

FP25R12KT3

F3L300R07PE4

FF150R12RT4

FF150R12RT4

FF450R12KT4

FS100R12KT3

FP10R12W1T4

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