目錄:青島天仁微納科技有限責(zé)任公司>>納米壓印設(shè)備>> GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備
GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備，標(biāo)配天仁微納CLIV（Contact Litho in Vacuum）壓印技術(shù)，可實現(xiàn)200mm基底面積上高精度（優(yōu)于10nm ）、高深寬比（優(yōu)于10比1 ）納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn)。
GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備，可實現(xiàn)200/300mm基底面積上高精度（優(yōu)于10nm ）、高深寬比（優(yōu)于10比1 ）納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn)。
該設(shè)備支持自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具，工作模具具有精度高，壽命長等特點，可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本。保證了大面積納米壓印過程中結(jié)構(gòu)精度與高深寬比結(jié)構(gòu)的完整填充，同時保證了大面積結(jié)構(gòu)壓印均勻性。
GL8/12 CLIV納米壓印設(shè)備適用于DOE、AR/VR衍射光波導(dǎo)（包括斜齒光柵）、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應(yīng)用領(lǐng)域的量產(chǎn)。
● 經(jīng)過量產(chǎn)驗證的200mm大面積、高精度、高深寬比納米壓印
● CLIV技術(shù)，確保壓印結(jié)構(gòu)精度與結(jié)構(gòu)填充完整性
● 設(shè)備內(nèi)自動復(fù)制柔性復(fù)合工作模具，降低大面積納米壓印模具使用成本
● 自動對位、自動壓印、自動曝光固化、自動脫模，工藝過程無需人工干預(yù)
● 標(biāo)配高功率紫外LED面光源（365nm，光強(qiáng)>1000mW/cm2 ），水冷冷卻，特殊功率以及特殊、混合波長光源可訂制，支持各種商用納米壓印材料
● 標(biāo)配設(shè)備內(nèi)部潔凈環(huán)境與除靜電裝置
● 隨機(jī)提供全套納米壓印工藝與材料，包括DOE、AR斜齒光柵、高密度、高深寬比結(jié)構(gòu)等工藝流程，幫助客戶零門檻達(dá)到高質(zhì)量的納米壓印水平
| 兼容基底尺寸 | 2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可定制 |
| 支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等 |
| 上下片方式 | 手動上下片 |
| 晶圓預(yù)對位 | 機(jī)械夾持預(yù)對位，可選裝光學(xué)巡邊預(yù)對位 |
| 納米壓印技術(shù) | CLIV技術(shù)，適合高精度、高深寬比納米結(jié)構(gòu)壓印 |
| 壓印精度 | 優(yōu)于10納米* |
| 結(jié)構(gòu)深寬比 | 優(yōu)于10比1* |
| 殘余層控制 | 可小于10nm* |
| 紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光強(qiáng)>1000mW/cm2，水冷冷卻（2000mW/cm2類型光源可選配） |
| 設(shè)備內(nèi)部環(huán)境控制 | 標(biāo)配，外部環(huán)境class 100，內(nèi)部環(huán)境優(yōu)于Class 10* |
| 自動壓印 | 支持 |
| 自動脫模 | 支持 |
| 自動工作模具復(fù)制 | 支持 |
| 模具基底對位功能 | 自動對位（選配） |
(空格分隔,最多3個,單個標(biāo)簽最多10個字符)
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