目錄:青島天仁微納科技有限責(zé)任公司>>納米壓印設(shè)備>> GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備
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更新時(shí)間:2024-12-10 16:17:01瀏覽次數(shù):620評(píng)價(jià)
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GL8 CLIV Gen2高精度紫外納米壓印光刻設(shè)備是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備,標(biāo)配天仁微納CLIV(Contact Litho in Vacuum)壓印技術(shù),可實(shí)現(xiàn)200mm基底面積上高精度(優(yōu)于10nm )、高深寬比(優(yōu)于10比1 )納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn)。
GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微納新型全幅高精度紫外納米壓印設(shè)備,可實(shí)現(xiàn)200/300mm基底面積上高精度(優(yōu)于10nm )、高深寬比(優(yōu)于10比1 )納米結(jié)構(gòu)復(fù)制量產(chǎn)。
該設(shè)備支持自動(dòng)復(fù)制柔性復(fù)合工作模具,工作模具具有精度高,壽命長(zhǎng)等特點(diǎn),可以顯著降低大面積納米壓印工藝中模具使用成本。保證了大面積納米壓印過(guò)程中結(jié)構(gòu)精度與高深寬比結(jié)構(gòu)的完整填充,同時(shí)保證了大面積結(jié)構(gòu)壓印均勻性。
GL8/12 CLIV納米壓印設(shè)備適用于DOE、AR/VR衍射光波導(dǎo)(包括斜齒光柵)、生物芯片、LED、微透鏡陣列等應(yīng)用領(lǐng)域的量產(chǎn)。
● 經(jīng)過(guò)量產(chǎn)驗(yàn)證的200mm大面積、高精度、高深寬比納米壓印
● CLIV技術(shù),確保壓印結(jié)構(gòu)精度與結(jié)構(gòu)填充完整性
● 設(shè)備內(nèi)自動(dòng)復(fù)制柔性復(fù)合工作模具,降低大面積納米壓印模具使用成本
● 自動(dòng)對(duì)位、自動(dòng)壓印、自動(dòng)曝光固化、自動(dòng)脫模,工藝過(guò)程無(wú)需人工干預(yù)
● 標(biāo)配高功率紫外LED面光源(365nm,光強(qiáng)>1000mW/cm2 ),水冷冷卻,特殊功率以及特殊、混合波長(zhǎng)光源可訂制,支持各種商用納米壓印材料
● 標(biāo)配設(shè)備內(nèi)部潔凈環(huán)境與除靜電裝置
● 隨機(jī)提供全套納米壓印工藝與材料,包括DOE、AR斜齒光柵、高密度、高深寬比結(jié)構(gòu)等工藝流程,幫助客戶零門檻達(dá)到高質(zhì)量的納米壓印水平
兼容基底尺寸 | 2inch、100mm、150mm、200mm 特殊尺寸可定制 |
支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等 |
上下片方式 | 手動(dòng)上下片 |
晶圓預(yù)對(duì)位 | 機(jī)械夾持預(yù)對(duì)位,可選裝光學(xué)巡邊預(yù)對(duì)位 |
納米壓印技術(shù) | CLIV技術(shù),適合高精度、高深寬比納米結(jié)構(gòu)壓印 |
壓印精度 | 優(yōu)于10納米* |
結(jié)構(gòu)深寬比 | 優(yōu)于10比1* |
殘余層控制 | 可小于10nm* |
紫外固化光源 | 紫外LED(365nm)面光源,光強(qiáng)>1000mW/cm2,水冷冷卻(2000mW/cm2類型光源可選配) |
設(shè)備內(nèi)部環(huán)境控制 | 標(biāo)配,外部環(huán)境class 100,內(nèi)部環(huán)境優(yōu)于Class 10* |
自動(dòng)壓印 | 支持 |
自動(dòng)脫模 | 支持 |
自動(dòng)工作模具復(fù)制 | 支持 |
模具基底對(duì)位功能 | 自動(dòng)對(duì)位(選配) |
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)