目錄:青島天仁微納科技有限責(zé)任公司>>納米壓印設(shè)備>> GL4 R D研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備
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更新時(shí)間：2025-02-20 15:01:20瀏覽次數(shù)：731評(píng)價(jià)
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GL4 R D研發(fā)型多功能納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為大學(xué)、科研院所和企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)所設(shè)計(jì)，功能強(qiáng)大的多功能研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備。通過簡(jiǎn)單的夾具更換，可以實(shí)現(xiàn)旋涂壓印膠高精度納米結(jié)構(gòu)壓印和點(diǎn)膠大矢高結(jié)構(gòu)自動(dòng)找平壓印模式之間的快速切換。
GL4 R D研發(fā)型多功能納米壓印光刻設(shè)備是一種專門為大學(xué)、科研院所和企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)所設(shè)計(jì)，功能強(qiáng)大的多功能研發(fā)型納米壓印光刻設(shè)備。通過簡(jiǎn)單的夾具更換，可以實(shí)現(xiàn)旋涂壓印膠高精度納米結(jié)構(gòu)壓印和點(diǎn)膠大矢高結(jié)構(gòu)自動(dòng)找平壓印模式之間的快速切換?？蓪?shí)現(xiàn)直徑100mm以下基底面積上高精度（優(yōu)于10nm * ）、高深寬比（優(yōu)于10比1 * ）以及微透鏡陣列等微納結(jié)構(gòu)壓印，適合用作紫外納米壓印光刻工藝開發(fā)，器件原型快速驗(yàn)證，納米壓印材料測(cè)試等研發(fā)。它沿用天仁微納量產(chǎn)型納米壓印設(shè)備的工藝與材料體系，在GL4 R&D上開發(fā)的工藝可以無(wú)障礙轉(zhuǎn)移到量產(chǎn)設(shè)備上進(jìn)行生產(chǎn)。
GL4 R&D納米壓印設(shè)備適用于DOE、AR/VR衍射光波導(dǎo)（包括斜齒光柵）、線光柵偏振、超透鏡、生物芯片、LED、微透鏡陣列、勻光片等應(yīng)用領(lǐng)域的研發(fā)。
主要功能
●沿用天仁微納量產(chǎn)型納米壓印設(shè)備的工藝與材料體系，開發(fā)的工藝可以無(wú)障礙轉(zhuǎn)移到量產(chǎn)設(shè)備上進(jìn)行生產(chǎn)
●可實(shí)現(xiàn)旋涂膠基底壓印和點(diǎn)膠自動(dòng)找平壓印模式間快速切換
●壓印面積Φ100mm
●設(shè)備內(nèi)可自動(dòng)復(fù)制柔性復(fù)合工作模具
●壓印旋涂膠基底模式可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)壓印、自動(dòng)曝光固化、自動(dòng)脫模
●點(diǎn)膠壓印模式可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)找平，實(shí)現(xiàn)微米級(jí)TTV控制，內(nèi)置自動(dòng)點(diǎn)膠功能
●標(biāo)配高功率紫外LED面光源（365nm，光強(qiáng)>300mW/cm2 ），支持各種納米壓印材料
●可選配模具基底對(duì)位系統(tǒng)
●隨機(jī)提供全套納米壓印工藝與材料，包括DOE、AR斜齒光柵、高密度、高深寬比結(jié)構(gòu)、微透鏡陣列、勻光片結(jié)構(gòu)等工藝流程，幫助客戶零門檻達(dá)到國(guó)際的納米壓印水平
| 兼容基底尺寸 | 直徑≤100mm | ||
| 支持基底材料 | 硅片、玻璃、石英、塑料、金屬等 | ||
| 納米壓印技術(shù) | 旋涂膠基底高精度壓印&點(diǎn)膠自動(dòng)找平壓印 旋涂膠基底壓印模式 點(diǎn)膠自動(dòng)找平壓印模式 | ||
| 壓印精度 | 優(yōu)于10納米* | ||
| 結(jié)構(gòu)深寬比 | 優(yōu)于10比1* | ||
| 殘余層控制 | 可小于10nm* 微米級(jí)TTV控制精度 | ||
| 紫外固化光源 | 紫外LED（365nm）面光源，光強(qiáng)>300mW/cm2 | ||
| 自動(dòng)壓印 | 支持 支持 | ||
| 自動(dòng)脫模 | 支持 支持 | ||
| 自動(dòng)工作模具復(fù)制 | 支持 支持 | ||
| 主動(dòng)找平壓印 | - 支持 | ||
| 模自動(dòng)點(diǎn)膠 | 支持 | 模具基底對(duì)位系統(tǒng) | 手動(dòng)對(duì)位（選配） |
| 上下片方式 | 手動(dòng)上下片 |
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