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錳鋅鐵氧體納米晶，cas1317-61-9磁性錳鋅鐵氧體納米結(jié)構(gòu)具有均一的尺寸、規(guī)則的形貌、高的磁性和交流磁熱效應(yīng)、良好的生物相容性、高的靶向性和體內(nèi)長循環(huán)能力...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S31，GFET-S31GFET-S31以網(wǎng)格模式分布在芯片上。所有器件都具有3探頭幾何形狀，利用高K金屬柵極 （HKMG）工藝流程提供E...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S20，GFET S-20GFET S-20 芯片專為液體介質(zhì)中的測量而設(shè)計。提供 12 個石墨烯器件，封裝在金屬焊盤上以避免退化并減少泄...

石墨烯場效應(yīng)晶體管芯片S10，GFET-S10GFET-S10芯片提供36個石墨烯器件，以網(wǎng)格模式分布在芯片上。30 個器件具有霍爾棒幾何形狀，6個器件具有2探...

二硫化鉬晶體摻雜鈮元素，cas1317-33-5二硫化鉬（MoS2）晶體摻雜鈮（Nb）元素是一種常見的方法，用于改變MoS2的性質(zhì)和特性。摻雜是指在材料中引入其...

二水硫化鈣晶體，CaSO4-2H2O二水硫化鈣指的是一種化學(xué)物質(zhì)，化學(xué)式為CaSO4·2H2O，也被稱為氫硫鎂石。它是一種含水硫化鈣的化合物，由鈣離子...

六方氮化硼晶體，h-BN晶體h-BN晶體具有~0.1 cm 的典型橫向尺寸，并且是透明的。單晶h-BN是一種優(yōu)良的絕緣體，其表現(xiàn)為大的擊穿電壓（0.4 V/nm...

硫鹽礦物晶體，Pb3Sn4FeSb2S14物質(zhì)都是由原子或分子構(gòu)成的。物質(zhì)有三種聚集形態(tài)：氣體、液體和固體。但是，根據(jù)其內(nèi)部構(gòu)造特點，固體又可分為晶體、非晶體和...

二碲化鎢晶體，WTe2WTe2是一種II型外爾半金屬，載流子密度低至1E10 cm-2，被認為是材料領(lǐng)域的黃金標準。它們在靜水壓力下還表現(xiàn)出半金屬到超導(dǎo)的轉(zhuǎn)變。

氧化碲鎳晶體，Ni3TeO6Ni3TeO6具有極性R3空間群幾何形狀的剛玉型材料。Ni3TeO6晶體在~53 K的尼爾溫度下表現(xiàn)出共線反鐵磁（AFM）有序，從而...

硫錫鉛礦晶體，PbSnS2硫錫鉛礦是一種礦物，其化學(xué)組成為鉛錫硫化物，通常由鉛（Pb）、錫（Sn）和硫（S）元素組成。這種礦物在地質(zhì)學(xué)和礦物學(xué)中常常以塊狀或晶體...

二硫化鉬晶體，MoS2MoS2的每個 Mo（IV）中心都占據(jù)一個三角棱柱配位球，該球與六個硫化物配體結(jié)合。硫中心與三個金字塔形的鉬中心相連。三角棱柱是分層的，將...

1T-硫化鉭晶體，1T-TaS21T-TaS2 屬于V族過渡金屬硫族化合物（TMDC）。二硫化鉭也以2H相的形式存在。1T相TaS2晶體具有典型的橫向尺寸為~0...

2H-硫化鉭晶體，2H-TaS2硫化鉭（TaS2）是一種由鉭和硫元素組成的化合物，具有層狀結(jié)構(gòu)，類似于二硫化鉬（MoS2）。每個硫化鉭的層都由一個鉭原子層和兩個...

二硫化鎢晶體，2H-WS2二硫化鎢（WS2）是一種二維層狀材料，由鎢和硫元素組成。類似于石墨烯，WS2也具有層狀結(jié)構(gòu)，但每一層是由一個鎢原子層與兩個硫原子層交替...

白云母晶體(K2O.Al2O3.SiO2)白云母晶體是一種屬于硅酸鹽礦物的片狀礦物。它屬于云母礦物的一種，其名稱源于其常見的白色或類白色的外觀，而且很薄，可以剝...

碲化鉭晶體，TaTe2碲化鉭（TaTe2）是一種屬于過渡金屬二硫族化合物的物質(zhì)，由鉭和碲元素組成。它是一種層狀材料，具有電學(xué)和磁學(xué)性質(zhì)，因此在凝聚態(tài)物理學(xué)和納米...

硫化鎵晶體，GaS Crystal硫化鎵晶體在半導(dǎo)體行業(yè)中應(yīng)用廣泛，在制造光電子器件方面。LED（發(fā)光二極管）和激光二極管通常使用硫化鎵作為半導(dǎo)體材料，因為它對...

硫化錫晶體，SnS2 Crystal物質(zhì)都是由原子或分子構(gòu)成的。物質(zhì)有三種聚集形態(tài)：氣體、液體和固體。但是，根據(jù)其內(nèi)部構(gòu)造特點，固體又可分為晶體、非晶體和準晶體...

硫化鈦晶體，TiS2 Crystal晶體的對稱表現(xiàn)在晶體中相等的晶面、晶棱和角頂有規(guī)律的重復(fù)出現(xiàn)。這是由于它具有規(guī)律的格子構(gòu)造。是其在三維空間周期性重復(fù)的體現(xiàn)。...