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GeBi2Te4晶體,拓?fù)浣^緣體,紅外材料GeBi2Te4是一種由鍺(Ge)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于鉍碲族化合物。這種化合物屬于拓?fù)浣^緣體...
GaGeTe晶體,拓?fù)浣^緣體,半導(dǎo)體GaGeTe是由鎵(Ga)、鍺(Ge)和碲(Te)元素組成的化合物。這種化合物可能具有半導(dǎo)體或者拓?fù)浣^緣體的性質(zhì),具體取決于...
CuInS2晶體,拓?fù)洳牧螩uInS2是一種由銅(Cu)、銦(In)和硫(S)元素組成的化合物,屬于硫化物材料。這種化合物具有半導(dǎo)體性質(zhì),通常呈現(xiàn)為多晶體或薄膜...
CuInP2Se6晶體,拓?fù)洳牧希雽?dǎo)體CuInP2Se6是一種由銅(Cu)、銦(In)、磷(P)、硒(Se)元素組成的化合物,通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這...
CuBi3PbS6晶體,拓?fù)浣^緣體CuBi3PbS6是一種由銅(Cu)、鉍(Bi)、鉛(Pb)和硫(S)元素組成的化合物,通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合...
Cu3SbS3晶體,拓?fù)浣^緣體Cu3SbS3是一種由銅(Cu)、銻(Sb)和硫(S)元素組成的化合物,通常表現(xiàn)為層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于半導(dǎo)體材料的一...
碘化鉻晶體,CrI3碘化鉻(Chromium iodide)是由鉻(Chromium,Cr)和碘(Iodine,I)元素形成的化合物。它有幾種不同的物種,如Cr...
CrBi4Te7晶體,拓?fù)洳牧螩rBi4Te7是由鉻(Cr)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于多鐵材料的一種。
CrBi2Te4晶體,拓?fù)洳牧螩rBi2Te4是由鉻(Cr)、鉍(Bi)和碲(Te)元素組成的化合物,屬于拓?fù)浣^緣體的一種。這種化合物在研究中引起了一定的關(guān)注,...
拓?fù)浣^緣體,CrTe2晶體CrTe2是由鉻(Cr)和碲(Te)元素組成的化合物,通常呈現(xiàn)出層狀結(jié)構(gòu)的晶體材料。這種化合物屬于過(guò)渡金屬碲化物,具有一定的磁性和電學(xué)...
Cr2Si2Te6晶體, CrSiTe3,磁性拓?fù)浣^緣體Cr2Si2Te6在自旋電子學(xué)和磁性存儲(chǔ)方面有著一定的研究?jī)r(jià)值。它顯示出可調(diào)控的磁性和自旋特性,這使得它...
二硫化三鉻晶體,Cr2S3Cr2S3呈現(xiàn)出不同的晶體結(jié)構(gòu),如六方晶系或三方晶系。它是一種過(guò)渡金屬硫化物,具有一定的磁性和光學(xué)性質(zhì)。Cr2S3具有磁性,在研究磁學(xué)...
Cr2Ge2Te6晶體, CrGeTe3,磁性拓?fù)浣^緣體Cr2Ge2Te6在自旋電子學(xué)領(lǐng)域有一定的應(yīng)用潛力,因?yàn)樗@示出可調(diào)控的磁性和自旋特性。它還可能用于存儲(chǔ)...
銀銦磷硒晶體,AgInP2Se6AgInP2Se6是一種二維層狀結(jié)構(gòu)材料,具有優(yōu)異的非線性光學(xué)性能,這使得它在光電子學(xué)中具有潛在的應(yīng)用價(jià)值,尤其是在光學(xué)調(diào)制器、...
碲化銀晶體 Ag2Te碲化銀化學(xué)式Ag2Te。分子量 343.34。灰色立方系晶體或粉末。熔點(diǎn)955℃,相對(duì)密度8.5。制法:在高溫下(以使過(guò)剩的碲揮發(fā))和氫氣...
CoBi4Se7晶體,拓?fù)洳牧虾铣煞椒ǎ篊VT尺寸:10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途:僅用于科研,不能用于人體
CoBi4Te7晶體,磁性拓?fù)浣^緣體合成方法:CVT尺寸:10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途:僅用于科研,不能用于人體
CoBi2Te4晶體,拓?fù)洳牧虾铣煞椒ǎ篊VT尺寸:10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米 用途:僅用于科研,不能用于人體
Co2Bi2Te5晶體,拓?fù)洳牧虾铣煞椒ǎ篊VT尺寸:10平方毫米 25平方毫米 100平方毫米用途:僅用于科研,不能用于人體
CdPS3晶體,拓?fù)洳牧暇w大?。?~10 mm純度:99%表征方法:EDS,SEM,Raman禁帶寬度:1.7eV用途:僅用于科研,不能用于人體
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