電化學(xué)EC-V剖面濃度測(cè)試儀可高效、準(zhǔn)確的測(cè)量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過(guò)程由軟件全自動(dòng)控制。
電化學(xué)ECV剖面濃度測(cè)試儀主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開(kāi)發(fā)，其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來(lái)測(cè)量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。CVP21電化學(xué)C-V剖面濃度測(cè)量?jī)x適用于評(píng)估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過(guò)程并且以被使用在多種不同的材料上，例如：硅、鍺、III-V族化合物半導(dǎo)體(如GaN)。