我們的高性能 ALD 閥是世偉洛克長期以來在半導體制造業(yè)中顯示出迅速積極的技術(shù)領(lǐng)導力的一個重要例子。ALD 閥技術(shù)問世以來，世偉洛克與半導體行業(yè)的客戶密切合作，了解他們的需求，然后打造出 ALD 閥，提供必要的、高水平的精度、一致性、清潔度和高循環(huán)壽命，以跟上市場的快速創(chuàng)新步伐。我們的 ALD 超高純閥具有以下特點：

• 快速開關(guān)下的超高循環(huán)壽命

• 流量系數(shù)從 0.27 至 1.7

• 使用耐熱執(zhí)行機構(gòu)時，可在 392°F (200°C) 下浸入

• 適合于采用標準 316L VIM-VAR 不銹鋼閥體的超高純應(yīng)用

• 模塊化表面安裝、卡套管對焊和世偉洛克 VCR® 端接

• 電子或光學執(zhí)行機構(gòu)位置傳感選購件

  世偉洛克 ALD7 超高純隔膜閥是世偉洛克五十多年來支持半導體制造廠家和設(shè)備制造商所取得的原子層沉積 (ALD) 閥門技術(shù)的創(chuàng)新之作。這種高性能的半導體閥門使設(shè)備制造商和芯片制造廠家能夠通過實現(xiàn)流量一致性、流通能力、執(zhí)行機構(gòu)速度和高溫下的性能來克服當前生產(chǎn)工藝的限制，提高芯片產(chǎn)量。

  
  

• 為毫不妥協(xié)的精度而打造

• ALD7 具有更快的響應(yīng)時間、高溫下的熱穩(wěn)定性和更強的耐腐蝕性，在超高的循環(huán)壽命中，閥門與閥門、進料與進料及腔室與腔室之間的一致性能。

• 即使在非?？量痰脑映练e應(yīng)用中，ALD7 也能在上億次的循環(huán)過程中提供精確的進料

• 提升的執(zhí)行機構(gòu)技術(shù)使該半導體閥的運行速度比行業(yè)標準技術(shù)快，響應(yīng)時間低至 5 ms

• 執(zhí)行機構(gòu)可浸入 150°C，而閥門的額定溫度為 200°C，可在高溫和真空條件下，提供一致的流量

• ALD7閥體由世偉洛克專有的超高純 316L VIM-VAR 不銹鋼構(gòu)成，具備抵抗腐蝕性氣體的能力

• 更高的性能。更少的返工。

• 與現(xiàn)有的半導體閥相比，ALD7 可提供更好的流量，但占用空間保持不變。其緊湊的設(shè)計有助于半導體制造商在不進行重大工藝改變的情況下，提升原有設(shè)備的生產(chǎn)力。

• ALD7 可提供高達 0.7 的流量系數(shù) (Cv)，并實現(xiàn)不同腔體之間的精確、可重復(fù)的定量

• ALD7 保持了與世偉洛克符合行業(yè)標準的 ALD 閥相同的 1.5-in. 占用空間

• 該閥門擁有一個集成式熱隔離器，縮短了外形尺寸，使系統(tǒng)設(shè)計者能夠盡可能地利用反應(yīng)腔室附近的有限空間

• 規(guī)格

• 工作壓力	真空至 145 psig (10.0 bar)
  爆裂壓力	>3200 psig (220 bar)
  執(zhí)行壓力	60 至 120 psig（4.1 至 8.27 bar）
  溫度額定值	閥體從 32°F (0°C) 至 392°F (200°C) 執(zhí)行機構(gòu)從 32°F (0°C) 至 302°F (150°C)
  流量系數(shù)	0.7 Cv
  閥體材料	316L VIM-VAR 不銹鋼
  隔膜材料	鈷基高溫合金
  端接
  類型	VCR® 接頭 卡套管對焊 1.5 in. 模塊化表面安裝高流量 C 型密封