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更新時(shí)間：2023-10-09 09:47:29瀏覽次數(shù)：626評(píng)價(jià)
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| 產(chǎn)地類別 | 國(guó)產(chǎn) | 應(yīng)用領(lǐng)域 | 能源,電子,航天,汽車,電氣 |
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TH510系列半導(dǎo)體特性分析儀是常州同惠電子根據(jù)當(dāng)前半導(dǎo)體功率器件發(fā)展趨勢(shì)，針對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件設(shè)計(jì)的分析儀器。
儀器采用了一體化集成設(shè)計(jì)，二極管、三極管、MOS管及IGBT等半導(dǎo)體功率器件寄生電容、CV特性可一鍵測(cè)試，無需頻繁切換接線及設(shè)置參數(shù)，單管功率器件及模組功率器件均可一鍵快速測(cè)試，適用于生產(chǎn)線快速測(cè)試、自動(dòng)化集成。
CV曲線掃描分析能力亦能滿足實(shí)驗(yàn)室對(duì)半導(dǎo)體材料及功率器件的研發(fā)及分析。
儀器設(shè)計(jì)頻率為1kHz-2MHz，VGS電壓可達(dá)±40V，VDS電壓可達(dá)±200V/±1500V/±3000V，足以滿足大多數(shù)功率器件測(cè)試。
TH510系列半導(dǎo)體特性分析儀性能特點(diǎn)：
l 一體化設(shè)計(jì)：LCR+VGS低壓源＋VDS高壓源＋通道切換＋上位機(jī)軟件
l 單管器件（點(diǎn)測(cè)）、模組器件（列表掃描）、曲線掃描（選 件）三種測(cè)試方式
l 四寄生參數(shù)（Ciss、Coss、Crss、Rg或Cies、Coes、Cres、 Rg）同屏一鍵測(cè)量及顯示
l 標(biāo)配2通道，可擴(kuò)展至6通道，可測(cè)單管、多芯或模組器件
l CV曲線掃描、Ciss-Rg曲線掃描
l 電容快速充電技術(shù)，實(shí)現(xiàn)快速測(cè)試
l 接觸檢査Cont
l 通斷測(cè)試OP_SH
l 自動(dòng)延時(shí)設(shè)置
l 柵極電壓VGS;0 - 土40V
l 漏極電壓VDS;0 -±200V
l 10檔分選
功能特點(diǎn)：
A.一體化測(cè)試，集成度高、體積小、效率高
一臺(tái)儀器內(nèi)置了LCR數(shù)字電橋、VGS電壓源、VDS電壓源、高低壓切換矩陣以及上位機(jī)軟件，將復(fù)雜的接線、繁瑣的操作集成在支持電容式觸摸的Linux系統(tǒng)內(nèi)，操作更簡(jiǎn)單。特別適合產(chǎn)線快速化、自動(dòng)化測(cè)試。
B.單管器件測(cè)試，10.1寸大屏，四種寄生參數(shù)同屏顯示，讓細(xì)節(jié)一覽無遺
MOSFET或IGBT最重要的四個(gè)寄生參數(shù)：Ciss、Coss、Crss、Rg，Cies、Coes、Cres、Rg均可一鍵測(cè)試，10.1寸大屏可同時(shí)將測(cè)量結(jié)果、等效電路圖、分選結(jié)果等重要參數(shù)同時(shí)顯示，一目了然。
一鍵測(cè)試單管器件器件時(shí)，無需頻繁切換測(cè)試腳位、測(cè)量參數(shù)、測(cè)量結(jié)果，大大提高了測(cè)試效率。
C.列表測(cè)試，多個(gè)、多芯、模組器件測(cè)量參數(shù)同屏顯示
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持最多6個(gè)單管器件、6芯器件或6模組器件測(cè)試，所有測(cè)量參數(shù)通過列表掃描模式同時(shí)顯示測(cè)試結(jié)果及判斷結(jié)果。
D.曲線掃描功能（選件）
在MOSFET的參數(shù)中，CV特性曲線也是一個(gè)非常重要的指標(biāo)，如下圖
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀支持C-V特性曲線分析，可以以對(duì)數(shù)、線性兩種方式實(shí)現(xiàn)曲線掃描，可同時(shí)顯示多條曲線：同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線。
E.接觸檢查（Contact）功能，提前排除自動(dòng)化測(cè)試隱患
F.快速通斷測(cè)試（OP_SH）,排除損壞器件
在半導(dǎo)體器件特性測(cè)試時(shí)，由于半器件本身是損壞件，特別是多芯器件其中一個(gè)芯已經(jīng)損壞的情況下，測(cè)試雜散電容仍有可能被為合格，而半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通特性才是最重要的特性。
因此，對(duì)于本身導(dǎo)通特性不良的產(chǎn)品進(jìn)行C-V特性測(cè)試是沒有必要的，不僅僅浪費(fèi)了測(cè)量時(shí)間，同時(shí)會(huì)由于C-V合格而混雜在良品里，導(dǎo)致成品出貨后被退回帶來損失.
TH510系列半導(dǎo)體C-V特性分析儀提供了快速通斷測(cè)試（OP_SH）功能,可用于直接判斷器件本身導(dǎo)通性能。
G.模組式器件設(shè)置，支持定制
針對(duì)模組式器件如雙路（Dual）MOSFET、多組式IGBT，有些器件會(huì)有不同類型芯片混合式封裝;TH510系列CV特性分析儀針對(duì)此情況做了優(yōu)化，常見模組式芯片Demo已內(nèi)置，特殊芯片支持定制.
H.簡(jiǎn)單快捷設(shè)置
I.10檔分選及可編程HANDLER接口
J.支持定制化，智能固件升級(jí)方式
同惠儀器對(duì)于客戶而言是開放的，儀器所有接口、指令集均為開放設(shè)計(jì)，客戶可自行編程集成或進(jìn)行功能定制，定制功能若無硬件更改，可直接通過固件升級(jí)方式更新。
儀器本身功能完善、BUG解決、功能升級(jí)等，都可以通過升級(jí)固件(Firmware)來進(jìn)行更新，而無需返廠進(jìn)行。
固件升級(jí)非常智能，可以通過系統(tǒng)設(shè)置界面或者文件管理界面進(jìn)行，智能搜索儀器內(nèi)存、外接優(yōu)盤甚至是局域網(wǎng)內(nèi)升級(jí)包，并自動(dòng)進(jìn)行升級(jí)
K.解決Ciss、Coss、Crss、Rg產(chǎn)線/自動(dòng)化系統(tǒng)高速測(cè)試精度
同惠電子在電容測(cè)試行業(yè)近30年的經(jīng)驗(yàn)積累，得以在產(chǎn)線、自動(dòng)化測(cè)試等高速高精度測(cè)試場(chǎng)合，都能保證電容、電阻等測(cè)試精度。
常規(guī)產(chǎn)線測(cè)試，提供標(biāo)準(zhǔn)0米測(cè)試夾具，直插器件可直接插入進(jìn)行測(cè)試，Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度高。
針對(duì)自動(dòng)化測(cè)試，由于自動(dòng)化設(shè)備測(cè)試工裝通常需要較長(zhǎng)連接線，大多自動(dòng)化設(shè)備生產(chǎn)商在延長(zhǎng)測(cè)試線時(shí)會(huì)帶來很大的精度偏差，為此，同惠設(shè)計(jì)了2米延長(zhǎng)線并內(nèi)置了2米校準(zhǔn)，保證Ciss、Coss、Crss、Rg測(cè)試精度和0米測(cè)試夾具一致。
L.半導(dǎo)體元件寄生電容知識(shí)
在高頻電路中，半導(dǎo)體器件的寄生電容往往會(huì)影響半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)特性，所以在設(shè)計(jì)半導(dǎo)體元件時(shí)需要考慮下列因數(shù)
在高頻電路設(shè)計(jì)中往往需要考慮二極管結(jié)電容帶來的影響；MOS管的寄生電容會(huì)影響管子的動(dòng)作時(shí)間、驅(qū)動(dòng)能力和開關(guān)損耗等多方面特性；寄生電容的電壓依賴性在電路設(shè)計(jì)中也是至關(guān)重要，以MOSFET為例。
M.標(biāo)配附件
產(chǎn)品應(yīng)用：
■ 半導(dǎo)體元件/功率元件
二極管、三極管、MOSFET、IGBT、晶閘管、集成電路、光
電子芯片等寄生電容測(cè)試、C-V特性分析
■ 半導(dǎo)體材料
晶圓切割、C-V特性分析
■ 液晶材料
彈性常數(shù)分析
■電容元件
電容器C-V特性測(cè)試及分析，電容式傳感器測(cè)試分析
同惠授權(quán)代理商：蘇州威銳科電子有限公司
我們的優(yōu)勢(shì)：同惠、是德、泰克、日置、固緯、海思、安柏、艾德克斯、普源等
技術(shù)參數(shù)：
產(chǎn)品型號(hào) | TH511 | TH512 | TH513 | ||
通道數(shù) | 2（可選配4/6通道） | 1 | |||
顯示 | 顯示器 | 10.1英寸(對(duì)角線)電容觸摸屏 | |||
比例 | 16:9 | ||||
分辨率 | 1280×RGB×800 | ||||
測(cè)量參數(shù) | Ciss、Coss、Crss、Rg，四參數(shù)任意選擇 | ||||
測(cè)試頻率 | 范圍 | 1kHz-2MHz | |||
精度 | 0.01% | ||||
分辨率 | 10mHz 1.00000kHz-9.99999kHz | ||||
100mHz 10.0000kHz-99.9999kHz | |||||
1Hz 100.000kHz-999.999kHz | |||||
10Hz 1.00000MHz-2.00000MHz | |||||
測(cè)試電平 | 電壓范圍 | 5mVrms-2Vrms | |||
準(zhǔn)確度 | ±（10%×設(shè)定值+2mV） | ||||
分辨率 | 1mVrms 5mVrms-1Vrms | ||||
10mVrms 1Vrms-2Vrms | |||||
VGS電壓 | 范圍 | 0 - ±40V | |||
準(zhǔn)確度 | 1%×設(shè)定電壓+8mV | ||||
分辨率 | 1mV 0V - ±10V | ||||
10mV ±10V -±40V | |||||
VDS電壓 | 范圍 | 0 - ±200V | 0 - ±1500V | 0 - ±3000V | |
準(zhǔn)確度 | 1%×設(shè)定電壓+100mV | ||||
輸出阻抗 | 100Ω，±2%@1kHz | ||||
數(shù)學(xué)運(yùn)算 | 與標(biāo)稱值的絕對(duì)偏差Δ，與標(biāo)稱值的百分比偏差Δ% | ||||
校準(zhǔn)功能 | 開路OPEN、短路SHORT、負(fù)載LOAD | ||||
測(cè)量平均 | 1-255次 | ||||
AD轉(zhuǎn)換時(shí)間（ms/次） | 快速+：0.56ms(＞5kHz) 快速：3.3ms 中速：90ms 慢速：220ms | ||||
最高準(zhǔn)確度 | 0.5%（具體參考說明書） | ||||
Ciss、Coss、Crss | 0.00001pF - 9.99999F | ||||
Rg | 0.001mΩ - 99.9999MΩ | ||||
Δ% | ±（0.000% - 999.9%） | ||||
多功能參數(shù)列表掃描 | 點(diǎn)數(shù) | 50點(diǎn)，每個(gè)點(diǎn)可設(shè)置平均數(shù)，每個(gè)點(diǎn)可單獨(dú)分選 | |||
參數(shù) | 測(cè)試頻率、Vg、Vd、通道 | ||||
觸發(fā)模式 | 順序SEQ：當(dāng)一次觸發(fā)后，在所有掃描點(diǎn)測(cè)量，/EOM/INDEX只輸出一次 | ||||
步進(jìn)STEP：每次觸發(fā)執(zhí)行一個(gè)掃描點(diǎn)測(cè)量，每點(diǎn)均輸出/EOM/INDEX，但列表掃描比較器結(jié)果只在最后的/EOM才輸出 | |||||
圖形掃描 | 掃描點(diǎn)數(shù) | 任意點(diǎn)可選，最多1001點(diǎn) | |||
結(jié)果顯示 | 同一參數(shù)、不同Vg的多條曲線；同一Vg、不同參數(shù)多條曲線 | ||||
顯示范圍 | 實(shí)時(shí)自動(dòng)、鎖定 | ||||
坐標(biāo)標(biāo)尺 | 對(duì)數(shù)、線性 | ||||
掃描參數(shù)觸發(fā)方式 | Vg、Vd | ||||
手動(dòng)觸發(fā)一次，從起點(diǎn)到終點(diǎn)一次掃描完成，下個(gè)觸發(fā)信號(hào)啟動(dòng)新一次掃描 | |||||
從起點(diǎn)到終點(diǎn)無限次循環(huán)掃描 | |||||
結(jié)果保存 | 圖形、文件 | ||||
(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)
會(huì)員.png)
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