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硅片電阻率測試儀：電阻率（resistivity）是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=ρl/S，其中ρ就是電阻率，l為材料的長度，...

非接觸式單點薄層電阻測量系統(tǒng)。該裝置包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁...

表面光電壓法（Surface Photovoltage Method，簡稱SPV法）是通過測量由于光照在半導(dǎo)體材料表面產(chǎn)生的表面電壓來獲得少數(shù)載流子擴散長度的方...

無損方塊電阻測試儀包含一個渦流傳感器組，感應(yīng)弱電流到導(dǎo)電薄膜和材料。非接觸式薄膜方塊電阻測量儀試樣中的感應(yīng)電流產(chǎn)生與測量對象的片電阻相關(guān)的電磁場。電渦流技術(shù)不依...

晶錠非接觸方阻測試儀：晶錠，也叫單晶硅棒，是一種純硅材料，在電子工業(yè)中被廣泛應(yīng)用。晶錠是一種長條狀的半導(dǎo)體材料，通常采用Czochralski法或發(fā)明家貝爾曼的...

晶錠渦流法電阻率測試儀：電阻率是用來表示各種物質(zhì)電阻特性的物理量。某種物質(zhì)所制成的原件(常溫下20°C)的電阻與橫截面積的乘積與長度的比值叫做這種物質(zhì)...

霍爾遷移率（Hall mobility）是指?Hall系數(shù)RH與?電導(dǎo)率σ的乘積，即│RH│σ，具有遷移率的量綱?。其表達式為μH =│RH│σ。?12定義和計...

??渦流法方阻測試儀的方阻是指一個正方形?薄膜導(dǎo)電材料邊到邊的電阻?，也稱為方塊電阻或?膜電阻。方阻是衡量薄膜狀導(dǎo)電材料（如?蒸發(fā)鋁膜、?導(dǎo)電漆膜、印制電路板銅...

是一款汞探針CV自動圖形掃描測量系統(tǒng)。它使用高頻CV測量分析系統(tǒng)，可以對75mm、100mm、125mm、150mm、200mm（以及300mm）直徑的測試片進...

電化學(xué)EC-V剖面濃度測試儀可高效、準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料（結(jié)構(gòu)，層）中的摻雜濃度分布。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃...

非接觸式無損方塊電阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法高低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，渦流法電阻率探頭和PN探頭測試儀，遷移率（霍...

我司憑借先進的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，已發(fā)展成為中國大陸少數(shù)具有一定國際競爭力的半導(dǎo)體專用設(shè)備提供商，主營非接觸方阻測試儀、晶圓方阻測試儀，方阻測試儀，硅片電阻率測...

霍爾遷移率測試儀主要利用微波測試原理，非接觸式測量射頻HEMT結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的方阻、遷移率及載流子濃度?？蓪崿F(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，具有快速，無...

渦流法?電阻率方阻是一種利用電磁感應(yīng)原理進行檢測的方法。當(dāng)載有交變電流的試驗線圈靠近導(dǎo)體工件時，會產(chǎn)生交變磁場，進而在工件中感生出密閉的環(huán)狀電流，即渦流。渦流的...

設(shè)備主要利用渦電流測試原理，非接觸測試半導(dǎo)體材料，石墨烯，透明導(dǎo)電膜，碳納米管，金屬等材料的方阻（電阻率）?？蓪崿F(xiàn)單點測試，亦可以實現(xiàn)面掃描的測試功能，可用于材...

PN型測試儀可以測試硅片PN型號、硅片厚度也是影響生產(chǎn)力的一個因素，因為它關(guān)系到每個硅塊所生產(chǎn)出的硅片數(shù)量。超薄的硅片給線鋸技術(shù)提出了額外的挑戰(zhàn)，因為其生產(chǎn)過程...

我司主營：晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法低電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，遷移率少子壽命測試儀。

渦流法電阻率測試儀的樣品尺寸：2“-8“或者16mm×16mm的方形樣品；遷移率測量范圍：100-20000（cm2/v.sec)；方塊電阻測量范圍：...

晶圓電阻率測試儀，硅片電阻率測試儀，渦流法電阻率分析儀，晶錠電阻率分析儀，遷移率（霍爾）測試儀，少子壽命測試儀，為晶圓、碳化硅、硅片、封裝測試等生產(chǎn)和品質(zhì)監(jiān)控，...

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