平行板電容式PECVD 參考價(jià):面議
平行板電容式PECVD是一種用等離子體激活反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電...球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD) 參考價(jià):面議
該系統(tǒng)為球形脈沖激光沉積系統(tǒng)(PLD)工藝研發(fā)設(shè)備。脈沖激光沉積 (Pulsed laser deposition, PLD),就是將激光聚焦于靶材上一個(gè)較小的...高真空三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV 參考價(jià):面議
高真空三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-Ⅲ-C9HV是由九通道質(zhì)量流量控制器和高真空機(jī)組組成的CVD系統(tǒng),其爐管直徑為4″,Z高溫度可達(dá)1200℃,極限真...快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV 參考價(jià):面議
快速升溫CVD系統(tǒng)RTP-1000-F3LV是專為半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品(尺寸可達(dá)3″ )的退火而設(shè)計(jì),配有3路流量計(jì)和機(jī)械泵。本機(jī)采用 9KW的紅外...開啟式單溫區(qū)低真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-F3LV 參考價(jià):面議
開啟式單溫區(qū)低真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-F3LV是由開啟式單溫區(qū)管式爐、機(jī)械泵、三通道浮子混氣系統(tǒng)組成,可為CVD或擴(kuò)散實(shí)驗(yàn)提供1-3種的混合氣體,真空...高真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-80-C2HV 參考價(jià):面議
高真空CVD系統(tǒng)OTF-1200X-80-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成,Z高工作溫度可達(dá)1200℃,混氣系統(tǒng)可以對(duì)兩種氣體進(jìn)行精確...1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng) OTF-1200X-4-C4LV 參考價(jià):面議
1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長(zhǎng)薄膜而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究...高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV 參考價(jià):面議
高真空快速CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-RTP-C3HV是由4″RTP爐、三通道混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成,可進(jìn)行半導(dǎo)體基片、太陽(yáng)能電池及其它樣品(尺寸可達(dá)3...帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV 參考價(jià):面議
帶滑動(dòng)法蘭三溫區(qū)CVD系統(tǒng)OTF-1200X-5-III-F3LV可以快速加熱至1200℃,并通過(guò)調(diào)整三個(gè)溫區(qū)而建立不同梯度的熱場(chǎng),可進(jìn)行退火、擴(kuò)散、在不同氣氛...4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng) 參考價(jià):面議
4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),環(huán)境溫度在100-300℃,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能...1700℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)GSL-1700X-F3LV 參考價(jià):面議
1700℃單溫區(qū)三通道混氣CVD系統(tǒng)GSL-1700X-F3LV是由單溫區(qū)管式爐、三路浮子混氣系統(tǒng)和雙旋片式真空泵組成,Z高工作溫度可達(dá)1700℃,混氣系統(tǒng)可以...1700℃兩通道混氣高真空CVD系統(tǒng)GSL-1700X-4-C2HV 參考價(jià):面議
1700℃兩通道混氣高真空CVD系統(tǒng)GSL-1700X-4-C2HV是由單溫區(qū)管式爐、兩路質(zhì)子混氣系統(tǒng)和高真空機(jī)組組成,Z高工作溫度可達(dá)1600℃,混氣系統(tǒng)可以...微型PECVD系統(tǒng) 參考價(jià):面議
微型PECVD系統(tǒng)采用Φ 3“ × 16“ 的石英腔體,內(nèi)部設(shè)有加熱圈對(duì)樣品進(jìn)行加熱,Z高溫度可以達(dá)到400℃,且采用程序化控溫,系統(tǒng)還配有2...(空格分隔,最多3個(gè),單個(gè)標(biāo)簽最多10個(gè)字符)