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首頁(yè)>>科睿設(shè)備有限公司>>產(chǎn)品展示>>超高真空組件

  • 等離子體原子/離子源-真空組件 參考價(jià):面議

    等離子體原子/離子源-真空組件產(chǎn)生感應(yīng)耦合等離子體,包括氮?dú)?氧氣和氫氣等分子氣體。使用1個(gè)射頻線圈(頻率13.56MHz),能量將轉(zhuǎn)化為等離子體,這會(huì)產(chǎn)生僅具...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    等離子體原子/離子源
    2024/8/28 14:42:332086
  • X射線光源-真空組件 參考價(jià):面議

    X射線光源-真空組件X射線光源(可用于X射線電子能譜) 雙陽(yáng)極X射線光源多種陽(yáng)極材料具有差分抽氣或者從安裝口抽氣70mm O.D. CF安裝法蘭
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    X射線光源
    2024/8/28 8:11:351841
  • 射頻離子/原子源(可轉(zhuǎn)換)-真空組件 參考價(jià):面議

    射頻離子/原子源(可轉(zhuǎn)換)-真空組件射頻離子源:用于離子束沉積,離子束輔助沉積,MEMS射頻原子源:用于合成氧化物,氮化物,氫原子清洗
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    射頻離子/原子源
    2024/8/28 8:08:291047
  • 真空腔體水氣解吸附組件2 參考價(jià):面議

    真空腔體水氣解吸附組件2ZCUVE代表了水蒸氣解吸技術(shù)的新進(jìn)展。*的設(shè)計(jì)可從2.75“擴(kuò)展到8"法蘭尺寸,紫外線功率因數(shù)w按比例增加
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    真空腔體水氣
    2024/8/28 8:06:571226
  • 磁控濺射源(1英寸/2英寸/3英寸)-真空組件 參考價(jià):面議

    磁控濺射源(1英寸/2英寸/3英寸)-真空組件磁控濺射源/靶槍(1英寸/2英寸/3英寸)我們提供多種口徑的圓形平面靶槍,尺寸1“, 2“ and 3“. 以及矩...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    磁控濺射源/靶槍
    2024/8/28 8:06:062636
  • 半球電子能量分析器-真空組件 參考價(jià):面議

    半球電子能量分析器-真空組件半球電子能量分析器半徑: 120mm反轉(zhuǎn)角度: 180 deg.
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    電子能量半球電子能量
    2024/8/28 8:02:532943
  • 真空腔體水氣解吸附組件 參考價(jià):面議

    真空腔體水氣解吸附組件Zcuve是近年來(lái)上較多使用的水蒸氣解吸技術(shù)。*的設(shè)計(jì)可從2.75“擴(kuò)展到8"法蘭尺寸,具有比例較高的紫外線功率因數(shù)
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    解吸附組件
    2024/8/28 7:57:341556
  • IG2離子源-超高真空 參考價(jià):面議

    IIG2離子源-超高真空典型應(yīng)用是氬離子濺射清洗表面(中科院物理所配置多套IG2型離子源)濺射清洗 /表面準(zhǔn)備,用于表面科學(xué),MBE ,高真空濺射過(guò)程離子輔助沉...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    IG2離子源
    2024/8/28 7:56:021468
  • 磁控濺射靶源-真空組件 參考價(jià):面議

    磁控濺射靶源-真空組件我司提供的磁控濺射源是目前一和超高真空系統(tǒng)(1e-11torr)匹配的商業(yè)用濺射源。 在不配置彈性墊圈的結(jié)構(gòu)中,可烘烤至250℃。在匹配的...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    磁控濺射靶源
    2024/8/28 7:55:432246
  • 電子束蒸發(fā)源-真空組件 參考價(jià):面議

    電子束蒸發(fā)源-真空組件電子束蒸發(fā)源對(duì)于使用常用熱蒸發(fā)技術(shù)非常難蒸發(fā)的材料,電子束蒸發(fā)是一種有效的蒸發(fā)手段.通過(guò)高能電子束射向靶材來(lái)升高靶材溫度.相比于通常輻射或...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    電子束蒸發(fā)源
    2024/8/28 7:53:235300
  • 半球型電子能量分析譜-真空組件 參考價(jià):面議

    半球型電子能量分析譜-真空組件大型高透射半球形電子能量分析譜--120mm半徑.¨ 全程180度反轉(zhuǎn)角度.¨ 邊緣界線區(qū)域校正--使用Jos...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    半球型電子能量分析譜
    2024/8/28 7:51:061537
  • 俄歇電子能量譜-真空組件 參考價(jià):面議

    俄歇電子能量譜-真空組件俄歇電子能量譜是一種利用高能電子束為激發(fā)源的表面分析技術(shù). AES分析區(qū)域受激原子發(fā)射出具有元素特征的俄歇電子。俄歇電子在固體中運(yùn)行也同...
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    俄歇電子能量譜
    2024/8/28 7:48:332364
  • 熱舟蒸發(fā)源-真空組件 參考價(jià):面議

    熱舟蒸發(fā)源-真空組件應(yīng)用范圍: 薄層沉積; 光學(xué)涂覆; 混合層沉積; 金屬電極接觸。
    型號(hào): 廠商性質(zhì):代理商所在地:上海市 對(duì)比
    熱舟蒸發(fā)源
    2024/8/28 7:46:281617

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