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金屬薄膜方阻，方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關(guān)，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。蒸發(fā)鋁膜、導電漆膜、印制電路板銅箔膜等薄膜狀導電材料，衡量它們厚度的最好方法就是測試它們的方阻。什么是方阻呢？方阻就是方塊電阻，指一個正方形的薄膜導電材料邊到邊“之"間的電阻，如圖一所示，即B邊到C邊的電阻值。方塊電阻又稱膜電阻，是用于間接表征薄膜膜層、玻璃鍍膜膜層等樣品上的真空鍍膜的熱紅外性能的測量值，該數(shù)值大小可直接換算為熱紅外輻射率。方塊電阻的大小與樣品尺寸無關(guān)，其單位為Siements/sq，后增加歐姆/sq表征方式，該單位直接翻譯為方塊電阻或者面電阻，用于膜層測量又稱為膜層電阻。

產(chǎn)品描述：

金屬薄膜方阻測試儀主要利用結(jié)光電壓技術(shù)非接觸測試具有P/N或N/P結(jié)構(gòu)的樣品的方阻(發(fā)射極薄層方阻）。

特點：

非接觸，非損傷測試，測試速度快，重復性佳，可直接測試產(chǎn)品片。

金屬薄膜方阻測試儀技術(shù)參數(shù)：

探頭量程	10-500Ω/sq
探頭性能	動態(tài)重復性	靜態(tài)重復性	示值誤差
	測試條件：采樣率50SPS（20ms），20個點/每次
	10-50Ω/sq<2%	<0.5%	≤±3%
	50-200Ω/sq<1%	<0.2%	≤±3%
	200-500Ω/sq<0.6%	<0.15%	≤±3%
外形尺寸	探頭：60mm×30mm×83mm(L×W×H)
	控制盒：173×130×55mm
信號采集	采樣率：**500SPS
	數(shù)據(jù)接口：RS232 RS485 CAN TCP/IP
	傳輸協(xié)議：ModbusRtu/ModbusTcp、用戶自定義SOCKET協(xié)議等

JPV測試數(shù)據(jù)

實驗數(shù)據(jù)—相關(guān)性

金屬薄膜方阻測試儀

實驗數(shù)據(jù)—重復性和準確性

	樣片1			樣片2			樣片3			樣片4
	四探針	SemiLab	九域	四探針	SemiLab	九域	四探針	SemiLab	九域	四探針	SemiLab	九域
1	98.5	99.51	98.11	106.1	105.77	105.65	131.2	131.82	131.84	146.6	148.52	147.32
2	98.6	99.84	98.1	105.4	105.96	105.63	130.1	131.55	131.99	148.2	148.81	147.23
3	98.9	99.68	97.99	106.8	105.98	105.78	132.5	131.57	131.94	148	148.85	147.18
4	99	98.78	97.98	106.7	106.54	105.78	132.4	131.86	131.97	146.9	148.78	147.14
5	98.6	98.75	97.99	105.8	105.21	105.84	131.8	131.85	131.78	145.5	148.86	147.39
6	98.3	98.56	97.92	106.8	105.11	105.79	132.8	131.89	131.86	146.5	148.26	147.32
7	98	98.57	97.92	105.7	105.78	105.81	131.7	131.54	131.7	148.5	148.19	147.26
8	98.2	98.79	98.06	105.3	105.95	105.76	131.1	132.66	131.81	148.6	148.21	147.15
9	97.6	98.69	97.82	105.5	105.76	105.76	131.4	132.05	131.76	147.4	148.51	147.28
10	98.6	99.13	97.92	106.2	106.14	105.82	130.8	132.29	131.73	148.1	148.15	147.09
Ave	98.43	99.03	97.98	106.03	105.82	105.76	131.58	131.91	131.84	147.4	148.51	147.23
Rsd	0.43%	0.48%	0.09%	0.55%	0.39%	0.07%	0.63%	0.27%	0.08%	0.69%	0.20%	0.06%
%		0.61%	-0.46%		-0.20%	-0.25%		0.25%	0.20%		0.82%	-0.15%

說明：

1、四探針重復性較差，探針頭容易出問題導致測試偏差很大

2、Semilab重復性和九域重復性偏差不大

3、準確度偏差都保證在一定的范圍之內(nèi)

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