EVG 850 LT

　　Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding

　　EVG 850LT SOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)

　　自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用

　　晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850 LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)和具有LowTemp™等離子活化的直接晶圓鍵合，融合了熔合的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此，經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300 mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。

　　特征

　　利用EVG的LowTemp™等離子激活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合

　　適用于各種融合/分子晶圓鍵合應(yīng)用 ;生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行

　　盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP); 無污染的背面處理

　　超音速和/或刷子清潔; 機(jī)械平整或缺口對(duì)齊的預(yù)粘合

　　先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù)

　　晶圓直徑(基板尺寸)100-200、150-300毫米

　　全自動(dòng)盒帶到盒帶操作

　　預(yù)粘接室

　　對(duì)齊類型：平面到平面或凹口到凹口

　　對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50 µm，θ：±0.1°

　　結(jié)合力：zui高5 N

　　鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活

　　真空系統(tǒng)：9x10-2 mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3 mbar(渦輪泵選件)

　　LowTemp™等離子激活模塊

　　2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體：N2和O2，以及2種其他工藝氣體：高純度氣體(99.999%)，稀有氣體(Ar，He，Ne等)和合成氣(N2，Ar和H4含量zui高)

　　通用質(zhì)量流量控制器：zui多可對(duì)4種工藝氣體進(jìn)行自校準(zhǔn)，可對(duì)配方進(jìn)行編程，流速zui高可達(dá)到20.000 sccm