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法國(guó)IBS IMC210中束流離子注入機(jī)
離子注入機(jī)由離子源、質(zhì)量分析器、加速器、四級(jí)透鏡、掃描系統(tǒng)和靶室組成,可以根據(jù)實(shí)際需要省去次要部位。離子源是離子注入機(jī)的主要部位,作用是把需要注入的元素氣態(tài)粒子電離成離子,決定要注入離子的種類和束流強(qiáng)度。離子源直流放電或高頻放電產(chǎn)生的電子作為轟擊粒子,當(dāng)外來(lái)電子的能量高于原子的電離電位時(shí),通過(guò)碰撞使元素發(fā)生電離。碰撞后除了原始電子外,還出現(xiàn)正電子和二次電子。正離子進(jìn)入質(zhì)量分析器選出需要的離子,再經(jīng)過(guò)加速器獲得較高能量,由四級(jí)透鏡聚焦后進(jìn)入靶室,進(jìn)行離子注入。
離子注入機(jī)是集成電路制造前工序中的關(guān)鍵設(shè)備,離子注入是對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜的技術(shù),其目的是改變半導(dǎo)體的載流子濃度和導(dǎo)電類型。離子注入與常規(guī)熱摻雜工藝相比可對(duì)注入劑量、注入角度、注入深度、橫向擴(kuò)散等方面進(jìn)行 的控制,克服了常規(guī)工藝的限制,提高了電路的集成度、開(kāi)啟速度、成品率和壽命,降低了成本和功耗。離子注入機(jī)廣泛用于摻雜工藝,可以滿足淺結(jié)、低溫和 控制等要求,已成為集成電路制造工藝中*的關(guān)鍵裝備。
特點(diǎn):
l 控制離子束流
l 控制加速電壓
l占地小, 操作簡(jiǎn)單, 運(yùn)行成本低
l特別適合于研發(fā)應(yīng)用
l適用于4”~6”晶片,小可用于1*1cm2樣品(室溫)
l4”熱注入模式, 溫度可達(dá)600度
l2個(gè)帶有蒸發(fā)器的Freeman離子源,可使溫度達(dá)750度
l1個(gè)Bernas離子源
l非凡的鋁注入能力
l一個(gè)主氣箱,配有4個(gè)活性氣體管路;一個(gè)副氣箱,配有4個(gè)中性氣體管路
l高價(jià)樣品注入能力
l注入角0~15度
lIBS*的矢量掃描系統(tǒng)
l手動(dòng)裝載/卸載用于標(biāo)準(zhǔn)注入和熱注入,自動(dòng)25片cassette 裝載用于標(biāo)準(zhǔn)腔室
l遠(yuǎn)程操作控制接觸屏(5米鏈接線纜)
l輻射低于0.6usv/hour
工藝性能
l2~210keV
l束流:4”晶片100keV時(shí),大于900uA (As, P), 大于450uA (B)
l劑量范圍:1*1011*1018~at/cm2
l片內(nèi)非均勻性:1s<=1%(帶有1000埃氧化層的4寸硅,注B,100kev,1*1014at/cm2
l片間均勻性:1s ≤ 1 %
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